• 美光:5G引發的內存和存儲演進

    美光:5G引發的內存和存儲演進

    1. 受新冠疫情和國際形勢雙生影響,2020年對整個世界來説都是不平凡的一年,同時也是機遇與考驗並存的一年。對此,您如何看待整個行業的發展現狀和未來趨勢?貴公司是如何把握機遇、直面挑戰的? Raj Hazra,美光科技新興產品與企業戰略高級副總裁 新冠疫情加速了數字化轉型。如果沒有基於雲的數字化服務(包括在線購物、虛擬會議和遠程醫療),2020年的社會格局將大為不同。數據中心的大量數據處理使人們能夠在前所未有的短時間內進行療法和疫苗的研發。這些技術構成了我們新常態的基礎,突然之間,諸如AI自學習這種高深的事物也變得更加平易近人了。CIO們的風險承受能力已發生變化,因為他們必須採用更多新興技術來保持業務持續發展,在未來這一年,這將在大批企業中產生漣漪效應。 2021年,即使在後疫情時期,遠程辦公的普及將繼續加速雲端應用的部署。為了應對新常態,企業將尋求新的解決方案,例如為實現靈活辦公部署更多的IT解決方案,為推動在線商務的持續增長提供更大的數據存儲,以及為應對未來的醫療危機提供穩固的IT系統。這將前所未有地推動對靈活的IT基礎架構、多雲解決方案和萬物互聯的需求,以支持邊緣到雲的應用場景。我們看到,以數據為中心的雲服務的發展將為內存和存儲帶來巨大的機會,我們還將看到,越來越多的數據中心運營商在對可拆分和組合系統進行評估,以更好地滿足未來的企業需求。 我們需要更加節能的雲端:向可組合基礎架構邁進對於減少過度配置的資源至關重要,這將減輕IT部門對環境造成的嚴重影響。預計到2030年,信息和通信技術將消耗全球20%的電力。隨着企業希望將可持續發展納入業務戰略,並減少AI和高性能計算等計算密集型工作負載的運營成本,我們看到對於節能型架構的需求將不斷增長。 內存和存儲的區別越來越模糊:2021年,“人工智能即服務”將成為主流,智能遷移到邊緣,5G應用將成為現實。這會推動服務器系統架構方式的根本改變。內存將擴展至多個基礎架構池,併成為共享資源。存儲和內存之間的界限將變得模糊。人們將不再認為“DRAM是內存,而NAND是存儲”,因為速度更快的NAND將能夠用作內存,而隨着應用的複雜性將不斷提升,它們需要以創新的方式來利用資源。在2021年,我們還將看到企業正在尋求新型解決方案,例如存儲級內存和內存虛擬化,以進一步釋放AI及激增的數據量帶來的價值。 2. 2020年,5G開始走向大規模商用,隨着5G基站的進一步部署,5G網絡的覆蓋越來越廣,這將給行業帶來哪些機遇?貴公司如何看待? Christopher Moore,美光科技移動產品事業部市場副總裁魏松,美光科技移動產品事業部全球產品營銷總監 5G產業鏈環節主要包括5G網絡基礎設施、終端設備和應用場景三大環節。手機作為主要的個人移動智能終端設備,同時也是實現5G三大應用場景之一的EMBB(增強移動帶寬)相對最早的可以體驗的5G應用場景,我們如期的看到各大手機淘派集運app爭先發布5G新機,從上半年的多款旗艦機、次旗艦機、到下半年的中低端5G手機,特別是中低端5G手機的價格直逼4G手機,這也是讓5G市場開始真正起飛的一年。5G手機拉動了AI拍照(一億像素,64MP,48MP、四攝-三攝貫穿高中低端手機),高清視頻(8k/4k),高刷新屏、高採樣率的遊戲等功能和應用,尤其是5G中低端手機配置的內存容量和中高端手機非常接近,這帶來了移動行業對DRAM和NAND的需求。2021年,我們樂觀預期移動行業 DRAM和NAND的年成長率分別為:DRAM高於15%,NAND大於30%,預計手機平均DRAM容量將超過5GB (5.2GB), Flash逼近150GB。 無所不在的5G接入為移動技術帶來標誌性轉變。5G最關鍵的特性是大大縮短延遲。現在的網絡已經足夠快,可以滿足以前不可能實現的實時數據需求。具體的應用包括自主流量定形、遠程醫療、實時增強現實、工業自動化和物聯網人機界面。為了滿足這些應用,端到端延遲時間必須小於5毫秒。例如,在增強現實中,AR覆蓋需要與人類感知一樣快,才能無縫融合到現實環境中。 但是,如果沒有合適的硬件,這些更快的數據傳輸速度將毫無用處。隨着5G在全球範圍內不斷擴展,美光將繼續支持這些發展機會,以推動內存和存儲的增長。作為第一個在1Z節點上量產的供應商,這已經是我們一段時間以來設計和開發技術考慮的重點。我們也已開始對基於1Z製程的DDR5進行出樣,為實現5G的下一代以及更先進的技術奠定關鍵基礎。除此之外,5G的內存和存儲需求非常多樣化,美光獨有的產品組合廣度在這個領域具有關鍵優勢。我們將以此抓住5G帶來的巨大機遇。無論是用於計算和網絡的DDR4 / 5,速度更快的LPDDR4 / 5或GDDR6技術,還是用於存儲和啓動的SSD、NAND或NOR,美光強大的產品組合都能讓我們為5G領域中最苛刻的應用提供服務。 5G不僅使網絡受益,同時還包括雲和數據中心。為了處理移動連接,數據中心必須將內存和存儲量增加四到十倍。降低延遲也很重要,因為5G網絡的傳輸速率和帶寬要比4G網絡高100倍以上。要使5G成為現實,就必須以前所未有的容量和速度來存儲、託管和傳輸數據。 雲數據中心是5G數字生態系統的核心,在這一演進過程中至關重要。企業和雲存儲必須完成從機械硬盤(HDD)到固態硬盤(SSD)的過渡才能為5G做好準備,而云服務器和將它們連接在一起的網絡將需要更多的內存。美光的主要工作重點是實現向下一代存儲和內存的過渡。我們相信,我們獨特的優勢可以抓住市場上的這些機會。 3. 在2020年,貴公司有哪些產品和技術您認為可以稱得上是對該應用或技術領域有明顯提升或顛覆性的貢獻?請您分享。 魏松,美光科技移動產品事業部全球產品營銷總監 LPDDR5 首先,在5G領域,美光推出了全球首款量產的LPDDR5 DRAM 芯片,並率先搭載於小米10智能手機上。美光 LPDDR5 DRAM 與前代產品相比,數據訪問速度提升了 50%,功耗則降低了 20% 以上,滿足了消費者對於智能手機中人工智能(AI)和 5G 功能日益增長的需求,為用户帶來流暢、無延遲的影像、娛樂、遊戲體驗,成為 2020 年旗艦手機的標配。 美光 LPDDR5 DRAM 內存能滿足多個行業對內存更高性能和更低功耗日益增長的需求,這不僅僅侷限於移動行業,還包括汽車、個人電腦以及為 5G 和 AI 應用打造的網絡系統。 GDDR6X 其次,美光推出了全球速度最快的獨立顯卡內存解決方案 GDDR6X,率先助力系統帶寬實現 1 TB/秒。美光與圖形計算技術領導者 NVIDIA 合作,首次在全新的 NVIDIA® GeForce RTX™ 3090 和 GeForce RTX 3080 圖形處理器(GPU)中搭載 GDDR6X,以實現更快速度,滿足沉浸式、高性能的遊戲應用需求。 美光革新了 GDDR6X 的內存/GPU 接口,增強了下一代遊戲應用中的複雜圖形工作負載性能。GDDR6X 的突破性速度,為遊戲玩家提供最高幀率和即時渲染的高分辨率,帶給用户無延遲的高度真實感和沉浸體驗。 美光率先在內存中應用創新的信號傳輸技術——四電平脈衝幅度調製(PAM4),變革內存的數據傳輸方式,實現了 GDDR6X 的突破性帶寬。 176層3D NAND 再次,美光於今年開始出貨全球首款 176 層 NAND,實現閃存性能和密度的重大突破,一舉刷新行業紀錄,使數據中心、智能邊緣平台和移動設備等一系列存儲應用得以受益,實現性能上的巨大提升。 該款 176 層 NAND 產品採用美光第五代 3D NAND 技術和第二代替換柵極架構,是市場上最先進的 NAND 技術節點。與美光的上一代大容量 3D NAND 產品相比,176 層 NAND 將數據讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上,極大地提高了應用的性能。美光的 176 層 NAND 採用緊湊型設計,裸片尺寸比市場最接近同類產品縮小近 30%,是滿足小尺寸應用需求的理想解決方案。 美光開創性地結合了堆棧式替換柵極架構、創新的電荷捕獲技術和 CMOS 陣列下(CuA)  技術。美光的 3D NAND 專家團隊利用專有的 CuA 技術取得了大幅進步,該技術在芯片的邏輯器件上構建了多層堆棧,將更多內存集成封裝在更緊湊的空間中,極大縮小了 176 層 NAND 的裸片尺寸,提升了單片晶圓的存儲容量。 同時,美光還將 NAND 單元技術從傳統的浮動柵極過渡到電荷捕獲,提高了未來 NAND 的可擴展性和性能。除了電荷捕獲技術,美光還採用了替換柵極架構,利用其中的高導電性金屬字線取代硅層,實現了出類拔萃的 3D NAND 性能。採用該技術後,美光將大幅度降低成本,繼續領跑業界。 4. 能否介紹下貴公司在中國市場的發展情況?2020年中國市場有哪些突出表現?2021年針對中國市場又有哪些規劃和佈局?Christopher Moore,美光科技移動產品事業部市場副總裁 在過去的兩年中,美光科技真正致力於與存儲和內存業務一起拓展我們在中國的移動業務。例如,我們已經擴展了產品線,包括了更多多芯片封裝(MCP)產品,以更好地滿足中國手機制造商的獨特需求。全球排名前六位的手機制造商中有四家在中國,並且他們還在不斷擴大自己在全球的市場份額。隨着5G在中國的快速部署,這些OEM淘派集運app正在採用更具差異化的解決方案,從而在5G市場中贏得競爭力。他們正通過採用更高的產品規格來實現更出色的用户體驗,如高分辨率鏡頭和屏幕顯示,以及數據密集型應用程序等,這些都需要更多、更快的內存和存儲,同時具有更低功耗和更小封裝尺寸,而這正是美光所長。中國的移動市場正處在令人興奮的發展階段,我們在這裏看到了巨大商機。

    時間:2021-01-15 關鍵詞: 美光科技 DRAM NAND

  • 三元鋰電池能使用多久?哪些因素影響三元鋰電池使用年限?

    三元鋰電池能使用多久?哪些因素影響三元鋰電池使用年限?

    鋰電池是生活中常見的電池類型之一,但就鋰電池而言,它又具備諸多細分類別,如三元鋰電池。為增進大家對鋰電池的認識程度,本文將對三元鋰電池、三元鋰電池的使用壽命、影響三元鋰電池壽命的因素以及三元鋰電池的應用予以介紹。如果你對鋰電池具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、三元鋰電池 三元聚合物鋰電池是指正極材料使用鋰鎳鈷錳或者鎳鈷鋁酸鋰的三元正極材料的鋰電池,鋰離子電池的正極材料有很多種,主要有鈷酸鋰、錳酸鋰、鎳酸鋰、三元材料、磷酸鐵鋰等。其中磷酸鐵鋰作為正極材料的電池充放電循環壽命長,但其缺點是能量密度、高低温性能、充放電倍率特性均存在較大差距,且生產成本較高,磷酸鐵鋰電池技術和應用已經遇到發展的瓶頸;錳酸鋰電池能量密度低、高温下的循環穩定性和存儲性能較差,因而錳酸鋰僅作為國際第1代動力鋰電的正極材料;而多元材料因具有綜合性能和成本的雙重優勢日益被行業所關注和認同,逐步超越磷酸鐵鋰和錳酸鋰成為主流的技術路線。三元材料的電芯代替了廣泛使用的鈷酸鋰電芯,在筆記本電池領域廣泛使用。 二、三元鋰電池使用壽命 根據國家規定,電動汽車動力電池容量衰減到新電池狀態的80%以下,可視作動力電池使用壽命的終結。 而根據電池的標準,三元鋰電池的壽命是由電池的循環次數來進行決定,而三元鋰電池的容量是會隨着充放電次數的增加而不斷衰減的。在相關實驗室中,以1C的充放電倍率給三元鋰電池持續充放電,經過1000次充電循環後,電池容量降至新電池狀態的80%。 按照目前三元鋰電池的技術水平,目前電動汽車普遍使用的動力電池容量密度為260Wh/kg,按照該能量密度來計算,以一年兩萬公里來進行計算,根據淺充淺放來計算的話,循環壽命至少有1000次。如果使用得當,在電動汽車上起碼可以使用5到8年左右的時間。 三、影響三元鋰電池使用壽命因素 至於有哪些因素會影響到三元鋰電池的使用壽命,氫雲鏈認為這需要從電池本身的結構上面和使用上面來進行分析,比如:電池材質、使用環境和最佳工作狀態等。 具體來説,在使用的過程中,由於使用不當,導致鋰電池內部會發生不可逆的電化學反應導致容量下降,比如電池內部的電解液的分解,電池內部的活性材料的失去了活性等都會直接導致三元鋰電池壽命鋭減。 當然,電動汽車動力電池使用壽命終結,並不是説電池不能充電,也不能放電,而是説此時電池的放電量與新電池狀態相比下降較多,繼續使用的話,會給用户帶來較差的用車體驗。由於動力電池使用壽命標準是前幾年制定的,那時候電池容量小,電動汽車續駛里程短,衰減到新電池80%以下,的確感覺續駛里程縮短了很多。比如續駛里程本來有200公里的,電池衰減到80%了,行駛160公里就要充電了。現在電動汽車續駛里程已經較高,衰減20%對用户的用車感受已經沒有那麼大了。 四、三元鋰電池的應用 據統計,三元鋰電池的應用到明年將會提升百分之八,我們通常使用的乘用車使用三元鋰電池,應用滲透率增長非常快,四年前就已經達到了將近百分之六十,而專用車上的使用比乘用車滲透率更高。當今主流銷量車,比如北汽和寶馬,已經全部使用三元鋰電池,因此三元鋰電池在各種電動汽車中的應用是十分普遍的。 綜上所述,我們知道了三元鋰電池的性能相比前幾年已經有了大的改善和提升,相比正常的鈷酸鋰電池,三元鋰電池的標稱電壓以及容量已經大大超越了它們。雖然三元鋰電池的製造成本相對較高,但是它的容量密度以及循環性能是非常高的,因此使用壽命相對較長。除此之外,三元鋰電池在各種乘用車和專用車的使用上已經應用十分廣泛了,所以三元鋰電池可以説是電池中的佼佼者。 以上便是此次小編帶來的“鋰電池”相關內容,通過本文,希望大家對三元鋰電池、三元鋰電池的使用壽命、影響三元鋰電池壽命的因素以及三元鋰電池的應用具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-15 關鍵詞: 鋰電池 指數 三元鋰電池

  • 鋰電池為何爆炸起火?鋰電池爆炸機率有多大?

    鋰電池為何爆炸起火?鋰電池爆炸機率有多大?

    鋰電池在諸多電子設備中均有所應用,對於鋰電池,我們通常也較為熟悉。前文中,小編對鋰電池保護板的使用方法以及鋰電池保護板的選購要點有所介紹。為增進大家對鋰電池的瞭解程度,本文將對鋰電池爆炸起火的原因予以分析,並探討鋰電池的爆炸機率。如果你對鋰電池具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、鋰電池為何爆炸起火 1.鋰電池負極容量不足 當鋰電池正極部位的負極部位容量不足時,充電時所產生的鋰原子無法插入負極石墨的間層結構中,會析在負極的表面,形成結晶。在鋰電池中長期形成結晶會導致短路,這時電芯急劇放電,會產生大量的熱,燒壞隔膜。高温會使電解液分解成氣體,當壓力過大時,電芯就會爆炸。 2.水份含量過高 充電時,水份可以和鋰發生反應,生成氧化鋰,使電芯的容量損失,易使電芯過充而生成氣體,水份的分解電壓較低,充電時很容易分解生成氣體,當這一系列生成的氣體會使電芯的內部壓力增大,當電芯的外殼無法承受時,電芯就會爆炸。 3.內部短路 內部電芯短路造成大電流放電,產生大量的熱,燒壞隔膜,而造成更大的短路現象,會使電解液分解成氣體,內部壓力過大,電芯就會爆炸。 4.鋰電池過充 電芯過充電時,正極的鋰過度放出會使正極的結構發生變化,而放出的鋰過多也容易無法插入負極中,也容易造成負極表面析鋰,而且,當電壓達到4.5V以上時,電解液會分解生產大量的氣體。上面種種均可能造成爆炸。 5.外部短路 外部短路可能由於正負極接錯所導致,由於外部短路,電池放電電流很大,會使電芯的發熱,高温會使電芯內部的隔膜收縮或完全壞壞,造成內部短路,因而爆炸。 二、鋰電池爆炸機率是大是小 鋰電池容易爆炸嗎?鋰電池爆炸威力有多大?儘管鋰電池總體上非常安全,但它們偶爾會着火或爆炸。我們經常會看到一些由於鋰電池而引起的各種安全事故,給人印象最深刻的莫過於鋰電池產生的爆炸、起火等現象。 鋰電池從誕生到現在已經發展幾十多年了,目前市面上的大部分手機也均內置的是鋰電池,儘管發展幾十年,但鋰電池仍不能保證百分百安全,在某些特定環境下,甚至會發生爆炸。 鋰在儲量方面非常出色。當它作為涓涓細流被釋放時,它會為你的手機供電一整天。但當它一次性全部釋放時,電池就會爆炸。大多數鋰電池起火和爆炸都是由於短路引起的。這種情況發生在塑料分離器失靈的情況下,從而讓陽極和陰極直接接觸。一旦這兩極聚在一起,電池就會開始過熱。 只要是鋰電池,就有存在爆炸的風險,只是這是風險概率很小。但是一旦爆炸,容量越大的鋰電池爆炸的威力就無法想象。 鋰電池爆炸有兩個重要的誘因,一個是短路,一個是過充。短路很容易理解,就是電池正負極直接接觸。第一,正常短時間內的,小面積內的短路所產生的熱量其實很少,不會造成熱失控。電芯本身設計時使用有個防爆閥,意思就是當電芯內部壓力超過了一定的值時,就會衝開防爆閥,熱量快速消散。第二就是正常使用的電池充電設備都防過充保護,當電池電壓達到一定值時就會停止充電。第三電芯本身殼體就是鋼殼,具有很好的保護性。 以上便是此次小編帶來的“鋰電池”相關內容,通過本文,希望大家對鋰電池爆炸起火的原因有所瞭解,並對鋰電池爆炸機率具備一定的認識。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-15 關鍵詞: 鋰電池 爆炸 指數

  • 鋰電池保護板如何使用?如何選購鋰電池保護板?

    鋰電池保護板如何使用?如何選購鋰電池保護板?

    鋰電池在現實中具有眾多應用,諸多電子設備中均存在鋰電池的身影。在往期文章中,小編對鋰電池保護板故障有所闡述。為增進大家對鋰電池的瞭解,本文將對鋰電池保護板的使用方法,以及鋰電池保護板的選購要點加以介紹。如果你對鋰電池,抑或是鋰電池保護板相關內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、鋰電池保護板使用方法 鋰電池保護板根據使用IC,電壓等不同而電路及參數有所不同,下面以DW01配MOS管8205A進行講解: 1.鋰電池保護板其正常工作過程為:當電芯電壓在2.5V至4.3V之間時,DW01的第1腳、第3腳均輸出高電平(等於供電電壓),第二腳電壓為0V。此時DW01的第1腳、第3腳電壓將分別加到8205A的第5、4腳,8205A內的兩個電子開關因其G極接到來自DW01的電壓,故均處於導通狀態,即兩個電子開關均處於開狀態。此時電芯的負極與保護板的P-端相當於直接連通,保護板有電壓輸出。 2.保護板過放電保護控制原理:當電芯通過外接的負載進行放電時,電芯的電壓將慢慢降低,同時DW01內部將通過R1電阻實時監測電芯電壓,當電芯電壓下降到約2.3V時DW01將認為電芯電壓已處於過放電電壓狀態,便立即斷開第1腳的輸出電壓,使第1腳電壓變為0V,8205A內的開關管因第5腳無電壓而關閉。 此時電芯的B-與保護板的P-之間處於斷開狀態。即電芯的放電迴路被切斷,電芯將停止放電。保護板處於過放電狀態並一直保持。等到保護板的P與P-間接上充電電壓後,DW01經B-檢測到充電電壓後便立即停止過放電狀態,重新在第1腳輸出高電壓,使8205A內的過放電控制管導通,即電芯的B-與保護板的P-又重新接上,電芯經充電器直接充電。 3.鋰電池保護板過充電保護控制原理:當電池通過充電器正常充電時,隨着充電時間的增加,電芯的電壓將越來越高,當電芯電壓升高到4.4V時,DW01將認為電芯電壓已處於過充電電壓狀態,便立即斷開第3腳的輸出電壓,使第3腳電壓變為0V,8205A內的開關管因第4腳無電壓而關閉。此時電芯的B-與保護板的P-之間處於斷開狀態。即電芯的充電迴路被切斷,電芯將停止充電。 保護板處於過充電狀態並一直保持。等到保護板的P與P-間接上放電負載後,因此時雖然過充電控制開關管關閉,但其內部的二極管正方向與放電迴路的方向相同,故放電迴路可以進行放電,當電芯的電壓被放到低於4.3V時,DW01停止過充電保護狀態重新在第3腳輸出高電壓,使8205A內的過充電控制管導通,即電芯的B-與保護板P-又重新接上,電芯又能進行正常的充放電。 4.短路保護控制過程:短路保護是過電流保護的一種極限形式,其控制過程及原理與過電流保護一樣,短路只是在相當於在PP-間加上一個阻值小的電阻(約為0Ω)使保護板的負載電流瞬時達到10A以上,保護板立即進行過電流保護。 鋰電池保護板,其作用就是防止鋰電池充電過充或過放而起到相應的保護作用的。有保護板就能很好的保護電池本身,沒有的話,一是鋰電池本身容易受損,二是有安全危險,這可不是開玩笑的哦。當然,不採用保護板的,因為內阻小了,使用時間可能會長一點點,價格也便宜點,但個人覺得,還是安全第一。 二、鋰電池保護板選購要點 為了保護鋰電池組壽命,建議任何時候電池充電電壓都不要超過3.6v,就是鋰電池保護板保護電壓不高於3.6v,均衡電壓建議3.4v-3.5v,電池放電保護電壓一般2.5v以上就可以。 充電器建議最高電壓為3.5串數,自放電越大,均衡需要時間越長,自放電過大的電芯已經很難均衡,需要剔除。所以挑選鋰電池保護板的時候,儘量挑選3.6v過壓保護的,3.5v左右啓動均衡的。 總之鋰電池保護板的內阻越低越好,越低越不發熱。保護板限流大小是靠康銅絲取樣電阻決定的,但持續電流能力是mos決定的。 以上便是此次小編帶來的“鋰電池”相關內容,通過本文,希望大家對鋰電池保護板的使用方法以及鋰電池保護板的選購要點具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-15 關鍵詞: 鋰電池 鋰電池保護板 指數

  • 替代機械按鍵,未來的手機何必“開孔”?

    替代機械按鍵,未來的手機何必“開孔”?

    “3D超聲波傳感技術可以作用在任何介質、任何厚度上,現今大多客户追求的是虛擬按鍵或數字化按鍵,但今後行業追求更多的將是手勢識別。” 從九宮格按鍵到觸摸屏手機,從home鍵到全面屏,人機交互的趨勢一直是在想辦法取消機械按鍵。除去追求真實按鍵手感的場景外,虛擬按鍵可以省卻實體按鍵的挖孔和佔據的空間,同時擁有防水、防油、防污的特性。 能夠實現如此良好的人機交互體驗要歸功於背後的傳感器技術,隨着行業的發展,也為傳感器提出了新的要求,UltraSense便向21ic中國電子網記者闡釋了行業的趨勢及其超聲傳感器解決方案。 超聲傳感器具有替代機械按鍵的特性 “UltraSense是一家將現有超聲技術結合到觸摸式人機交互界面的公司,憑藉技術已形成全球首款智能型超聲傳感器,產品僅有2.6mm x 1.6 mm的面積和低於1mm的厚度,達到了芯片級別” ,UltraSense Systems 公司聯合創始人兼首席業務官Daniel Goehl如是説。 記者查閲了UltraSense的官網得知,對應超聲技術的傳感器產品便是TouchPoint系列,擁有TouchPoint、TouchPoint Z、TouchPoint P三種解決方案,分別針對不同應用進行選擇。 通過Daniel Goehl的介紹,依託3D超聲波的TouchPoint系列產品,擁有幾個特性: 其一是無機械按鍵、無物理開孔、貼合簡單,依託如此特性使得產品設計過程中易於放置和連接,同時這種設計還能帶來防水、防油、防污的特性。 其二是穿透性好,超聲波能夠穿透鋁、不鏽鋼、玻璃、皮毛、皮革在內的任何介質,整體穿透厚度可達5mm左右,同時無論任何功率情況下都可獲得完美的穿透效果。值得一提的是,1.2mm x 1.2mm的定位區域,使得觸摸更加精準。 其三是小體積低功耗,整體面積不到一枚硬幣的五分之一,是世界上最小的超聲波傳感器,適用於任何緊湊型設備中;<20uA/sensor的長期運行電流,適用於任何安裝電池的移動設備上。 其四是可靠性高,產品不受污染物、聲學干擾和電磁場影響,傳感器間無串擾。另外,傳統使用的電阻型傳感器對温度非常敏感,TouchPoint內部則為硅裸片,硅材料對穩定敏感性好,可在任何工況下穩定工作,不懼高温和低温,甚至在烤箱內都可正常使用。 其五是換能器和ASIC電路一體化設計,內置MCU和TouchPoint算法,一個傳感器就相當於一個按鈕,可對上層材料分析,動態調整環境參數,得益於此開發者可減少開發調整,獲得上市時間加速。另外,通過Z壓力算法實現無誤觸。 據Daniel Goehl介紹,這家公司成立於2018年4月,專注於超聲波傳感領域,目前已成功獲得超10個超聲感知技術專利,客户包括博世、Asahi Kasei、索尼等。根據Daniel Goehl的介紹,雖然從成立時間來看公司較為年輕,但實際上團隊源於原InvenSense公司,深耕超聲領域15年,團隊也曾創過數個業界第一。 小身材潛藏多項技術壁壘 從原理上來看,Daniel Goehl為記者介紹表示,TouchPoint一般是集成在現有標準的集成電路板或任何柔性電路板上,之後傳感器上端的基層材料將會被識別,相當於也集成在電路中成為表面觸控材料。 因此,使用任何粘貼方式將目標基材層與超聲傳感器面層粘合都可觸發超聲波束,超聲波束根據不同材料形成不同的聲阻,在人對錶層材料接觸和按壓時,垂直的超聲波束能夠精準識別操作類型。 從結構上來看,TouchPoint本質上是一片SoC,片上包括嵌入式微控制器、內存、模擬前端和單硅片的超聲波傳感器 ASIC 組成。Daniel Goehl強調,集成所有模塊的單傳感器是替代機械按鈕的最佳之選,使用多個這種傳感器也可實現表面手勢操作。 事實上,TouchPoint的最關鍵點正是其內部的高度集成,傳統傳感器方案多芯片會增加方案的複雜程度,佔用更多的面積,而TouchPoint則已經完成了自我的全封閉操作。 從算法上來看,TouchPoint加入了Z壓力(Z-Force)檢測,手指在按壓過程中會產生應力使材料形變,在此過程中加入Z壓力檢測能夠更好感知材料表面的變化,判斷觸發是否是誤觸。Daniel Goehl為記者舉例表示,假若剛好有一滴水作用在傳感器,一般情況會被誤認為是人手接觸,因為人手組成大部分也是水,而經過Z壓力反饋TouchPoint可以避開這種誤觸情況。 除此之外,TouchPoint還包括U-Sense™自我調節、輸入檢測分類器算法,這就是上文提到傳感器識別基層材料的算法,通過自我調節機制傳感器將動態調整各項參數,達到最佳工作狀態。 雖然在通俗解釋後,超聲傳感器似乎沒有想象中擁有很高的技術壁壘,“實際上從技術複雜性來講,研發過程遠遠沒有業界部分人想象的那麼簡單”,Daniel Goehl強調,TouchPoint並不僅僅是單純信號傳導和接受的過程,產品既實現了系統級集成,也囊括了複雜的材質和厚度識別算法,實現過程中存在也擁有很多難點。 極具廣闊的應用趨勢 根據Daniel Goehl的介紹,今年CES2021期間,已向媒體宣佈將在本月完成超聲傳感器的量產,並將會交付給下游客户,包括手機制造商及消費電子產商。Daniel Goehl預測,大約今年3-4月份就將會有搭載該解決方案的產品在市場浮現。 雖然UltraSense在技術底藴上超過十餘年,不過公司畢竟還是新興公司,很多人並不熟悉,特別是國內市場。Daniel Goehl強調,UltraSense對中國市場非常熟悉,目前正在和中國市場一些智能手機淘派集運app進行合作,大家將在2021年底或2022年初看到新產品問世。除了手機淘派集運app外,中國細分市場包括消費電子、家電、汽車市場都在接洽之中。 受到國內淘派集運app的簇擁和青睞這要得益於產品本身廣闊的應用空間,在UltraSense與手機行業淘派集運app接洽中得知,很多客户希望能將手勢操作放置在機身背後,使得用户能夠非常輕鬆自拍或控制手機。 除此之外,大部分主流手機淘派集運app也正在尋求使用超聲傳感器的方式取代現有的電源鍵、音量鍵、AI鍵,還可以再手機上增設超聲傳感的遊戲鍵、功能鍵,模擬手柄操作。“5G手機內部非常緊湊,利用超聲傳感器代替開孔設計的機械按鍵,既能幫助手機節省空間,也能使手機全身IP防護等級更好”,Daniel Goehl如是説。 “實際上,我們團隊在InvenSense時便有大量的手機行業工作經驗,當時我們也向行業交付了超過10億隻以上的運動傳感器,所以我們非常清楚地瞭解到手機行業客户的需求是非常高的。” 值得一提的是,生活中隨處可見的消費電子產品的機械按鍵都可用此方案代替,包括TWS無線耳機、智能手錶、筆記本電腦、VR眼睛、電動牙刷、4K電視等一切能夠想到的設備。 通過多個超聲傳感器的協作,用户可以獲得非常精準的多種人機交互方式,正因小巧且經濟實惠,所以這款產品“沒有做不到只有想不到”。 而自身非常出色的穩定性,也適用於工作環境較為惡劣的車載環境,利用這種方案未來汽車駕駛的手感將會更加出色,內飾設計也會更強。 反觀整個行業,很多場景下使用的傳感器仍然還是傳統的解決方案,這種方案的小巧簡便、精準識別、節省空間、無孔設計,相信能為未來新產品帶來新動能。

    時間:2021-01-14 關鍵詞: 超聲傳感器 UltraSense

  • 電容器如何檢測?大佬教你檢測三類電容器!

    電容器如何檢測?大佬教你檢測三類電容器!

    檢測技術在各行各業中均佔據重要地位,通過檢測,我們能夠一定程度上保證產品質量。在本文中,小編將詳細介紹電容器檢測技術,主要包括三方面:1.可變電容器檢測、2.電解電容器檢測、3.固定電容器檢測。如果你對檢測技術,抑或是電容器檢測具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、可變電容器的檢測 A用手輕輕旋動轉軸,應感覺十分平滑,不應感覺有時松時緊甚至有卡滯現象。將載軸向前、後、上、下、左、右等各個方向推動時,轉軸不應有鬆動的現象。 B用一隻手旋動轉軸,另一隻手輕摸動片組的外緣,不應感覺有任何鬆脱現象。轉軸與動片之間接觸不良的可變電容器,是不能再繼續使用的。 C將萬用表置於R&TImes;10k擋,一隻手將兩個表筆分別接可變電容器的動片和定片的引出端,另一隻手將轉軸緩緩旋動幾個來回,萬用表指針都應在無窮大位置不動。在旋動轉軸的過程中,如果指針有時指向零,説明動片和定片之間存在短路點;如果碰到某一角度,萬用表讀數不為無窮大而是出現一定阻值,説明可變電容器動片與定片之間存在漏電現象。 二、固定電容器的檢測 A檢測10pF以下的小電容因10pF以下的固定電容器容量太小,用萬用表進行測量,只能定性的檢查其是否有漏電,內部短路或擊穿現象。測量時,可選用萬用表R&TImes;10k擋,用兩表筆分別任意接電容的兩個引腳,阻值應為無窮大。若測出阻值(指針向右擺動)為零,則説明電容漏電損壞或內部擊穿。 B檢測10PF~0.01μF固定電容器是否有充電現象,進而判斷其好壞。萬用表選用R&TImes;1k擋。兩隻三極管的β值均為100以上,且穿透電流可選用3DG6等型號硅三極管組成複合管。萬用表的紅和黑表筆分別與複合管的發射極e和集電極c相接。由於複合三極管的放大作用,把被測電容的充放電過程予以放大,使萬用表指針擺幅度加大,從而便於觀察。應注意的是:在測試操作時,特別是在測較小容量的電容時,要反覆調換被測電容引腳接觸A、B兩點,才能明顯地看到萬用表指針的擺動。 C對於0.01μF以上的固定電容,可用萬用表的R&TImes;10k擋直接測試電容器有無充電過程以及有無內部短路或漏電,並可根據指針向右擺動的幅度大小估計出電容器的容量。 三、電解電容器的檢測 A因為電解電容的容量較一般固定電容大得多,所以,測量時,應針對不同容量選用合適的量程。根據經驗,一般情況下,1~47μF間的電容,可用R×1k擋測量,大於47μF的電容可用R×100擋測量。 B將萬用表紅表筆接負極,黑表筆接正極,在剛接觸的瞬間,萬用表指針即向右偏轉較大偏度(對於同一電阻擋,容量越大,擺幅越大),接着逐漸向左迴轉,直到停在某一位置。此時的阻值便是電解電容的正向漏電阻,此值略大於反向漏電阻。實際使用經驗表明,電解電容的漏電阻一般應在幾百kΩ以上,否則,將不能正常工作。在測試中,若正向、反向均無充電的現象,即錶針不動,則説明容量消失或內部斷路;如果所測阻值很小或為零,説明電容漏電大或已擊穿損壞,不能再使用。 C對於正、負極標誌不明的電解電容器,可利用上述測量漏電阻的方法加以判別。即先任意測一下漏電阻,記住其大小,然後交換表筆再測出一個阻值。兩次測量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表筆接的是正極,紅表筆接的是負極。 D使用萬用表電阻擋,採用給電解電容進行正、反向充電的方法,根據指針向右擺動幅度的大小,可估測出電解電容的容量。 以上便是此次小編帶來的“檢測”相關內容,通過本文,希望大家對可變電容器檢測、電解電容器檢測以及固定電容器檢測具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-14 關鍵詞: 檢測 電容器 指數

  • 電纜電氣性能如何檢測?電纜機械性能如何檢測?

    電纜電氣性能如何檢測?電纜機械性能如何檢測?

    檢測技術的存在,為產品質量提供了一定保障。通過檢測技術,我們可以及時發現產品中存在的問題。前文中,小編對機器視覺檢測技術有所介紹。本文中,小編將對電線電纜電氣性能檢測以及電線電纜機械性能檢測予以闡述。如果你對檢測技術具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、電線電纜電氣性能檢測 電線電纜的電氣性能佔了很大一部分,其好壞直接影響到電纜的使用。主要分為直流電阻檢測、電壓實驗和絕緣電阻檢測。 1、直流電阻檢測 直流電阻檢測是根據電阻定律進行測試,即R=ρL/S,其中ρ為電阻率,L為導體的長度,S為導體截面積。 測試方法:測量直流電阻採用單臂直流電橋或雙臂直流電橋。測量範圍:雙臂電橋測1Ω及以下,單臂或雙臂電橋測1Ω~99.9Ω,單臂電橋測100Ω以下。 20℃標準直流電阻的換算:R20=1000Rx/[1+α(t-20]L,其中R20為20℃/km的直流電阻,Rx為實測值,α為電阻温度係數,L為試樣的測量長度。在進行電阻測試時需要注意以下事項:測試環境的温度變化不大於±1℃,測試環境温度時温度計離地面至少1m,且離試樣不超過1m,測量時電流密度的適當選擇,一般鋁芯不大於0.5A/mm²,銅芯不大於1A/mm²。 2、電壓實驗 電線電纜的的絕緣強度取決於其絕緣結構與絕緣材料承受電場作用而不發生擊穿破壞的能力。為保證電線電纜的安全工作,一般要進行電壓實驗。電壓實驗:在特定條件下對產品施加一定的電壓,在一定測試時間是否發生電擊穿為判斷試樣是否符合標準。實驗時的電壓和時間,可根據不同的產品進行選擇。在做電壓實驗時,需要注意的是,實驗區有金屬接地護欄,有完整的應急防護措施,試驗區內有接地極,接地電阻應小於4Ω。 3、絕緣電阻檢測 絕緣電阻是電線電纜產品絕緣特性的重要指標,它反應了產品承受電擊穿或熱擊穿的能力,同時也反應了絕緣材料在工作狀態下的耐損耗的能力。我們常説的絕緣電阻是指絕緣上所施加的直流電壓U與泄漏電流Ig的比值,即Ri=U/Ig,比較常用的測試方法主要有:直流比較法和電壓電流法。在試驗中可選擇ZC-90型絕緣電阻測試儀等試驗設備,其試樣有效長度、試驗環境和試驗電壓應按相關標準執行。最終試驗結果的計算:RL=RX·L,其中RL為每千米長度絕緣電阻,RX為試樣絕緣電阻,L為試樣有效測量長度。 二、電線電纜機械性能檢測 電線電纜根據生產、運輸和使用的要求,應具有一定的機械性能,主要有機械強度試驗、彎曲性能試驗、扭曲性能試驗和捲曲性能試驗。 1、機械強度試驗 電纜抵抗外力的作用而不被破壞的能力叫作機械強度。機械強度要求主要是抗拉強度和伸長率。具體的檢測方法根據抗拉強度公式:δ=Fm/S和斷裂伸長率公式:γ=(L1-L0)/L0×100%。電纜常做機械強度試驗有:銅絲、鋁絲的強度與伸率,絕緣、護套材料老化前後的強度與伸率。 2、彎曲性能試驗 電線電纜在生產和使用過程中受到的彎曲應力,將直接影響到產品的質量和壽命。彎曲性能的好壞,取決於產品的彎曲次數,即材料試樣在彎曲試驗機上連續、均勻、反覆彎曲,直到折斷的前一次的總次數。 3、扭曲性能試驗 扭轉試驗是確定金屬線材在扭轉作用下的塑性變形和判斷金屬組織是否均勻和有缺陷的重要手段。扭曲試驗可根據斷裂前的扭轉次數來判斷線材是否滿足使用要求。 4、卷繞性能實驗 電線電纜產品標準中規定金屬線材應具有良好的卷繞性能。卷繞試驗方法就是將試件圍繞規定直徑的試棒卷繞規定的圈數,觀察其表面的變化。 以上便是此次小編帶來的“檢測”相關內容,通過本文,希望大家對電線電纜電氣性能檢測以及電線電纜機械性能檢測具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-14 關鍵詞: 檢測 電纜 指數

  • 你知道機器視覺檢測技術嗎?機器視覺檢測技術有哪些分類?

    你知道機器視覺檢測技術嗎?機器視覺檢測技術有哪些分類?

    檢測是一個不可繞過的話題,只要存在產品,就存在檢測環節。往期文章中,小編對紅外檢測、CCD檢測技術等均有所介紹。為增進大家對檢測的認識,本文將對機器視覺檢測技術加以闡述,主要內容在於講述機器視覺檢測技術的分類。此外,文章中還將提及機器視覺技術的應用實例。如果你對檢測技術具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、機器視覺檢測技術分類 為了適應現今這個發展越來越快的社會,機器視覺檢測技術是必不可少的。在一些不合適人類工作的環境場所機器視覺就可以代替人類進行。機器視覺檢測技術分類: (1)一般來説,機器視覺檢測技術依照檢測功用可區別:定位、缺點檢測、計數/遺失檢測、尺度丈量。 (2)機器視覺檢測技術依照其裝置的載體可分為:在線檢測體系和離線檢測體系。 (3)依照檢測技能區別,一般有立體視覺檢測技能、斑駁檢測技能、尺度丈量技能、OCR技能等。 機器視覺檢測技術在於消除瑕疵,含糊,碎屑或凹陷等商品缺點,以保證商品的功用和性能至關重要。因而現已被廣泛用於各大職業的商品缺點檢測、尺度檢測中。 如使用視覺體系能進行商品多種項目的檢測,用視覺體系檢測電子部件的缺點或偏移的針腳,用視覺體系丈量注射器部件形狀或區別顏色來進行檢查錯誤安裝等。 機器視覺檢測技術在交通職業的車牌辨認和流量檢測、藥品職業的包裝檢測、飲料職業的容量檢測和外包裝檢測、煙草職業的煙標檢測和外包裝檢測、汽車職業的安裝檢測、打印職業的打印質量檢測、紡織職業的布疋瑕疵檢測、五金職業的螺絲釘檢測、運輸職業的貨品分揀、食品職業的生果分揀、電子職業的焊接檢測和安裝定位、鋼鐵職業的鋼板外表缺點檢測、智能讀表、智能抄表等都有應用。 機器視覺檢測技術根據機器視覺圖畫處置技能之視覺檢測技能,對商品全體進行自動檢測,關於控制商品品質保障商品質量有着非常重要的效果,能夠避免不合格商品的外流,然後進步公司的核心競爭力。公司取得的不僅僅是社會效益,其機器視覺檢測技術現已為眾多公司帶來了實質性的經濟效益。 二、機器視覺技術應用實例 機器視覺系統在質量檢測的各個方面得到了廣泛的應用,例如:採用激光掃描與CCD探測系統的大型工件平行度、垂直度測量儀,它以穩定的準直激光束為測量基線,配以迴轉軸系,旋轉五角標稜鏡掃出互相平行或垂直的基準平面,將其與被測大型工件的各面進行比較。在加工或安裝大型工件時,可用該認錯器測量面間的平行度及垂直度。 以頻閃光作為照明光源,利用面陣和線陣CCD作為螺紋鋼外形輪廓尺寸的探測器件,實現熱軋螺紋鋼幾何參數在線測量的動態檢測系統。 視覺技術實時監控軸承的負載和温度變化,消除過載和過熱的危險。將傳統上通過測量滾珠表面保證加工質量和安全操作的被動式測量變為主動式監控。 用微波作為信號源,根據微波發生器發出不同波特率的方波,測量金屬表面的裂紋,微波的波的頻率越高,可測的裂紋越狹小。 總之,類似的實用系統還有許多,這裏就不一一概述了。 以上便是此次小編帶來的“檢測”相關內容,通過本文,希望大家對機器視覺檢測技術的分類以及機器視覺技術的實際應用案例具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-14 關鍵詞: 檢測 機器視覺 指數

  • 想實現FPGA低功耗設計?先好好了解下FPGA功耗

    想實現FPGA低功耗設計?先好好了解下FPGA功耗

    功耗是我們關注的設計焦點之一,優秀的器件設計往往具備低功耗特點。在前兩篇文章中,小編對基於Freez技術的低功耗設計以及FPGA低功耗設計有所介紹。為增進大家對低功耗的瞭解,以及方便大家更好的實現低功耗設計,本文將對FPGA具備的功耗加以詳細闡述。如果你對低功耗具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 FPGA器件的一個比較特別的現象是其上電瞬間的電流比較大,有的時候甚至大於芯片正常工作的電流,這是因為FPGA內部的邏輯和互連線資源(SRAM工藝)在上電的瞬間處於不確定狀態,發生電流衝突的結果。 如果用户在設計的時候沒有考慮到這個上電瞬間的打電流,電源模塊不能夠提供這麼大的電流,芯片在上電過程中就會出現上電曲線不單調的問題,導致器件上電失敗,以至於芯片無法正常工作。一般在器件手冊中會給出這個上電電流值。 FPGA在正常工作中,其消耗的總功耗由器件的靜態功耗、動態功耗和IO功耗構成。靜態功耗也叫待機功耗(standbypower),是芯片處於上電狀態,但是內部電路沒有工作(也就是內部電路沒有翻轉)時消耗的功耗;而所謂動態功耗是指由於內部電路翻轉所消耗的功耗;IO功耗是IO翻轉時,對外部負載電容進行充放電所消耗的功耗。 如下式: 總功耗=靜態功耗+動態功耗+IO功耗 芯片的靜態功耗是芯片處於待機狀態下所消耗的功耗,它主要由芯片內部的漏電流產生。在高速的40nm器件中(如straticIV),芯片的漏電流相對來説較大,因此靜態功耗成為主要的電源功耗,也叫漏電功耗(leakagepower)。 靜態功耗有一個顯著的特點,就是它隨着器件結温(junctiontemperature,TJ)的變化而變化較大。TJ越大,功耗越大;TJ越小,功耗越小,如下圖所示。因此,控制芯片的結温可以有效的控制芯片的靜態功耗。 FPGA設計的總功耗包括靜態功耗和動態功耗兩個部分。其中,靜態功耗是指邏輯門沒有開關活動時的功率消耗,主要由泄漏電流造成的,隨温度和工藝的不同而不同。靜態功耗主要取決於所選的FPGA產品。 動態功耗是指邏輯門開關活動時的功率消耗,在這段時間內,電路的輸入輸出電容完成充電和放電,形成瞬間的軌到地的直通通路。與靜態功耗相比,通常有許多方法可降低動態功耗。 採用正確的結構對於設計是非常重要的,最新的FPGA是90nm的1.2 V器件,與先前產品相比可降低靜態和動態功耗,且FPGA製造商採用不同的設計技術進一步降低了功耗,平衡了成本和性能。這些90nm器件都改變了門和擴散長度,優化了所需晶體管的開關速率,採用低K值電介質工藝,不僅提高了性能還降低了寄生電容。結構的改變,如增強的邏輯單元內部互連,可實現更強大的功能,而無需更多的功耗。StraTIx II更大的改變是採用了六輸入查找表(LUT)架構,能夠通過更有效的資源利用,實現更快速、低功耗的設計。 除常規的可重配置邏輯外,FPGA正不斷集成更多的專用電路。最先進的PLD就集成了專門的乘法器、DSP模塊、可變容量RAM模塊以及閃存等,這些專用電路為FPGA提供了更加高效的功能。總體上看,採用這些模塊節約了常規邏輯資源並增加了系統執行的速度,同時可以減少系統功耗。因此更高的邏輯效率也意味着能夠實現更小的器件設計,並進一步降低靜態功耗和系統成本。 不同供應商所提供的IP內核對於低功耗所起的作用各有側重。選擇正確的內核對高效設計至關重要,有的產品將注意力集中在空間、性能和功耗的平衡上。某些供應商提供的IP內核具有多種配置(如Altera的Nios II嵌入式處理器內核採用快速、標準和經濟等三種版本),用户可根據自己的設計進行選擇。例如,如果一個處理器在同一個存儲分區中進行多個不同調用,則採用帶板載緩存的Nios II/f就比從片外存儲器訪問數據的解決方案節約更多功耗。 如果用户能夠從多種I/O標準中進行選擇,則低壓和無端接(non-terminated)標準通常利於降低功耗,任何電壓的降低都會對功耗產生平方的效果。靜態功耗對於接口標準特別重要,當I/O緩衝器驅動一個高電平信號時,該I/O為外部端接電阻提供電壓源;而當其驅動低電平信號時,芯片所消耗的功率則來自外部電壓。差分I/O標準(如典型值為350 mV的低開關電壓LVDS)可提供更低的功耗、更佳的噪聲邊緣、更小的電磁干擾以及更佳的整體性能。 以上便是此次小編帶來的“功耗”相關內容,通過本文,希望大家對FPGA功耗具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-13 關鍵詞: FPGA 功耗 指數

  • 痴迷於低功耗設計?基於Freeze技術的低功耗設計

    痴迷於低功耗設計?基於Freeze技術的低功耗設計

    低功耗設計的實現是我們關注的焦點,現代企業越來越注重低功耗。因為,低功耗往往能為器件帶來更好的性能。在前文中,小編對FPGA低功耗設計有所闡述。為增進大家對低功耗的認識,本文將對基於Freeze技術的低功耗設計予以介紹。如果你對低功耗設計具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 由於更嚴格的功耗限制、規範和標準要求,系統設計師現在比什麼時候都關注功耗問題。對於下一代的設計,功耗預算通常得到穩定的控制,或者降低,但卻增加了更多的特性和處理能力需求。通常,儘管產品特性和性能需求不斷增加,功耗預算還是很緊張,功能和性能的增加與降低功耗的目的是相矛盾的。摩爾定律效應縮小了工藝的尺寸加大了功耗問題,而且由於高的晶體管泄漏增加了靜態功耗。 如數碼相機、無線手持設備、智能電話和多媒體播放器這些電池供電應用的增長,推動了對低功耗半導體器件的需求。這種需求的爆發性增長加之對節能的不斷提高的要求,特別是與電池壽命相關的節能要求,導致對低功耗半導體技術的全球性需求。其結果是,半導體設計師開始研究如何在不增加系統的功率條件下,不斷地提高性能、降低成本並延長電池的壽命。 需要低功耗的半導體技術的應用可以是電池供電的電器、具有可靠性考慮的熱敏感應用,或者具有嚴格功率預算以及冷卻方法受限的交流電供電應用。需要低功耗解決方案的應用包括從便攜式電子產品到工業測試和測量設備,以及可移動的醫療電子設備和汽車應用以及軍用和航空應用。 對於這些應用,可以使系統快速進入和退出低功耗模式,最終獲得最低的功耗和很長的系統空閒時間。其它的考慮包括設計安全性、原型建立、外形尺寸、設計複用以及現場可升級能力。 傳統上,專用集成電路(ASIC)和複雜的可編程邏輯器件(CPLD)解決了便攜式市場的需求。然而,當今某些低功耗應用中所使用的CPLD開始失去其魅力,這主要因為對更高端特性的需求增加、需要額外的邏輯以及相對較高成本導致。由於產品面市時間更長,並且在滿足不斷變化的標準以及後期的設計修改上缺乏足夠的靈活性,使用ASIC的風險變得更高,常常對於某些便攜式應用來説並不適用,這些應用的市場動態改變導致更傾向於採用低功耗的PLD和FPGA。 這樣一來,隨着終端產品壽命縮短、競爭加劇以及產品上市時間對產品的成功有極大的影響,可編程的半導體平台成為首先的解決方案。使用可編程解決方案是最容易的,且最快上市、獲利的。然而,這些可編程平台還應該滿足所有其它的設計要求,例如成本、功能和性能、尺寸、安全性,以及必然的功率問題。市場研究公司iSuppli預測,20億美元的ASIC市場可能有3億美元的分額轉移到低功耗現場可編程門陣列(FPGA)解決方案。 可編程、全功能的FPGA,例如基於閃存的Actel IGLOO系列能滿足便攜式應用市場的短產品壽命週期和激烈的競爭問題。這些器件能滿足便攜式應用設計需求,例如以ASIC水平的單位成本實現最高的設計安全性、小的產品尺寸、上電即用(LAPU)、短的產品上市時間,使之成為ASIC和CPLD最具吸引力的替代產品。可編程單芯片系列的靜態功耗僅僅5?W,與其最接近的競爭產品相比較,靜態功耗降低4倍,與領先的可編程邏輯器件相比,便攜式應用可以實現超過5倍的電池壽命,為低功耗設定了新的標杆。 為實現這樣的低功耗,同時保持FPGA內容,該系列採用了Flash*Freeze技術,允許器件進入和退出超低功耗模式。 IGLOO器件不需要額的元件就能關斷I/O或時鐘,同時保持設計信息、SRAM內容和寄存器。Flash*Freeze技術與在系統可編程特性相結合,允許用户在製造後期或應用中很快、輕易地升級和更新設計。支持1.2V內核電壓還可以進一步降低功耗,從而獲得最低的總系統功耗。 Flash*Freeze技術允許用户讓所有連接到該器件的電源、I/O和時鐘處於正常的工作狀態。當器件進入Flash*Freeze模式時,器件將自動地關斷時鐘以及到FPGA內核的輸入;當器件退出Flash*Freeze模式時,所有的活動都將恢復,數據得到保留。這種低功耗特性加之可編程特性、單芯片、單電壓和小的尺寸,使得IGLOO器件最適合便攜式電子產品。 通過很多種方法來進行設計以使可用功率最大化,可以使用其它的低功耗模式。低功耗激活功能(靜態空閒)允許器件在系統中通過保持I/O、SRAM和寄存器以及邏輯功能的條件下,完全正常執行功能的同時,保持超低的功耗。這樣就允許器件根據外部輸入來管理系統功耗(即掃描鍵盤激勵),而功耗最低。或者,在睡眠模式下,在FPGA內核電壓關斷時,更大的設備可以實現最大的功耗節省。這種基於閃存的解決方案的上電可用的獨特特性,可以使系統從睡眠模式下快速地喚醒。 而且,像數碼相機、智能手機和MP3播放器這樣的手持設備通常都採用高端的嵌入式處理器。這些嵌入式處理器需要與一種或幾種常用的存儲接口一起工作,例如IDE、CE-ATA、SDIO或CF。因此,迫切需要有效的存儲器接口管理,將處理器負責的這些任務卸載到低功耗的可編程FPGA上。這些器件可以很容易地管理VLIO或AMBA總線與不同類的存儲器之間的接口。 以上便是此次小編帶來的“功耗”相關內容,通過本文,希望大家對基於Freeze技術的低功耗設計具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-13 關鍵詞: 低功耗 功耗 指數

  • 如何優化FPGA功耗?低功耗FPGA的設計與實現

    如何優化FPGA功耗?低功耗FPGA的設計與實現

    功耗是所有設計中必須要考慮的事項,對於功耗,我們應當慎之又慎。在往期文章中,DAC功耗數據等內容有所闡述。為增進大家對功耗的認識程度,本文將介紹優化FPGA功耗的設計和實現。如果你對功耗相關內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 為設計尋找“完美”FPGA 的重要性日漸升級,其中功耗已成為主要考慮因素。功耗管理在大部分應用中都非常關鍵。某些標準已為單卡或者單個系統設定了功耗上限。鑑於此,設計人員必須在設計過程中更早地對功耗問題加以考慮,一般來説應該從選擇 FPGA 開始。 減少 FPGA 的功耗可以降低供電電壓,簡化電源設計和散熱管理,降低對電源分配面的要求,從而簡化電路板設計。低功耗還可以延長電池壽命,提高系統的可靠性(運行温度較低的系統壽命更長)。 功耗挑戰 伴隨每一代工藝技術的問世,晶體管的尺寸可依照摩爾定律不斷縮小。但這種現象也會帶來副作用,即每個晶體管內的漏電流會增大,進而導致靜態功耗增大(未工作狀態下 FPGA 消耗的總電流增大)。FPGA 性能的提升會提高時鐘速率,使動態功耗上升。靜態功耗是晶體管漏電流造成的,動態功耗則取決於可編程邏輯和 I/O 的開關頻率。由於每一代 FPGA 的容量都在增大,會使兩種功耗不斷增加。更高的邏輯容量意味着每個器件會有更多漏電流和更多在更高速度下運行的晶體管。 鑑於這些問題的存在,設計人員必須在設計過程中儘早對電源和熱管理問題有更加清楚的認識。給器件加上散熱器並不足以解決這些問題。因此設計人員必須儘量減少設計中的邏輯用量。 首先來看幾點指南,有助於理解在設計過程各個階段應採取何種措施來降低FPGA的功耗。很明顯,在設計過程的初期徹底理解這些問題能帶來最大的收益。 圖 1 説明了包括 FPGA 選擇以及低功耗設計技巧在內的貫穿整個設計過程的不同設計點 系列工藝技術 在選擇 FPGA 的過程中, 應謹慎考慮工藝技術,它能幫助用户判斷器件的漏電流和性能。賽靈思 7 系列FPGA 採用 28 HPL (28nm 高性能低功耗)工藝,在提高性能的同時可顯著降低功耗(見第 41 期《賽靈思中國通訊》的封面故事)。選擇採用低漏電流的 HPL 工藝製造的器件,可以避免在FPGA 設計中使用複雜且成本高昂的靜態功耗管理方案。 儘管 28 HP 工藝 FPGA 的性能並沒有超越 7 系列的其它 FPGA,但其靜態功耗還不到競爭對手 FPGA 靜態功耗的一半,而且不會造成嚴重的漏電流問題。圖 2 顯示了 7 系列產品的全面降耗情況,整體功耗僅為上一代40nmFPGA 器件的一半。 設計人員可以在開發階段選擇較大的 FPGA,然後在生產過程中選擇較小的 FPGA。選擇較小的 FPGA 不僅可以降低成本,還能降低系統功耗。 所有 7 系列 FPGA 均採用統一的架構。這種統一架構便於在賽靈思 7 系列的不同 FPGA 器件之間方便地進行向上或向下遷移。如果需要從 Virtex®-6 或者 Spartan®-6 器件遷移至7 系列器件或者在 7 系列器件之間遷移,請參閲“7系列用户指南”(UG429)。 賽靈思堆疊硅片互聯技術 對較大的系統來説,設計人員一般會選擇多個 FPGA。這種架構往往需要在各個 FPGA 之間高速傳輸數據,這是一項複雜、困難的工作。選擇採用賽靈思堆疊硅片互聯技術製造的大型 7 系列 FPGA,比如 XC7V1500T 和XC7V2000T 器件,就可以避免這個問題。簡單地説,堆疊硅片互聯技術就是將多片芯片佈置在具有成千上萬連接關係的插入式結構中,用以製造統一的大型器件。堆疊硅片互聯技術的優勢之一在於,與採用標準單片電路的類似尺寸的器件相比,可顯著降低靜態功耗。 堆疊硅片互聯技術 (SSI) 還能大幅度降低 I/O 互聯功耗。與在電路板上佈置多塊 FPGA 的方法相比,SSI 技術有很大的優勢,其 I/O 互聯功耗比採用 I/O 和收發器構建的等效接口低 100 倍(帶寬/W)。功耗大幅下降是因為所有連接都構建在芯片上,無需功耗將信號驅動到片外,這樣可實現難以置信的高速度和低功耗。 電壓擴展增強選項 賽靈思 7 系列 FPGA 提供重要的電壓擴展選項。 7 系列 FPGA 為 -3L 和 -2L 器件提供擴展 (E) 温度範圍(0-100 攝氏度)。由於 28 HPL 工藝提供的餘量,-2LE 器件可在 1v 或 0.9v 下運行。這些器件被分別命名為 -2L (1.0V) 和 -2L(0.9V)。運行在 1.0V 下的 -2L 器件的速度性能與 -2I 和 -2C 器件相當,但靜態功耗顯著降低。運行在 0.9V 的 -2L 器件性能與 -1I和 -1C 器件相似,但靜態和動態功耗都有所下降。 僅僅將這些器件的電壓降低到0.9V 就可降低靜態功耗約 30%。降低電壓也會降低性能,但賽靈思根據速度和更加嚴格的漏電流規格對這些 -2L(0.9V) 器件進行篩選。這種篩選方法能夠使器件在最劣工藝條件下的功耗比標準速度等級器件的功耗降低 55%。 選擇 -2L 器件,用户還能進一步降低動態功耗。由於動態功耗與 VCCINT2成正比,VCCINT下降 10% 可帶來功耗20% 的降幅。 功耗估算工具 今天的市場上有豐富的工具可供設計人員選擇,用以在整個開發過程中評估 FPGA 設計的散熱和電源要求。圖 3是FPGA 開發過程中每個階段可供使用的賽靈思工具。 為降低功耗,用户必須盡一切可能減少設計中使用的邏輯數量。首先是使用專用的硬件模塊,而不是在 CLB 中實現相同的邏輯。 在設計初期,XPower EsTImator(XPE) 電子數據表能夠在初步設計和實施之前對功耗進行早期估測。XPE 可用於架構評估和器件選擇,幫助確定應用所需的合適的電源和散熱管理組件。 PlanAheadTM 軟件則用於估測設計電源在 RTL 級的分配情況。設計人員可以使用約束條件或者 GUI 來設定器件的運行環境、I/O 屬性和默認活躍度。PlanAhead 軟件隨即讀取 HDL 代碼,估算所需的設計資源,並對每種資源的運行狀態進行統計分析,得出功耗估算報告。由於能夠掌握有關設計意圖的更加詳細的信息,因此 RTL功耗估計器的準確性優於 XPE 電子數據表,但不及Xpower Analyzer 得出的後期佈局佈線分析結果準確。 Xpower Analyzer (XPA) 是一種專門用於分析佈局佈線設計功耗的工具。它採用全面綜合的GUI,可以對特定運行條件下的功耗和發熱量信息進行詳盡的分析。 用户可以在兩種不同視圖間切換,用以確認各種類型模塊(時鐘樹、邏輯、信號、IO 模塊、 BRAM 等硬 IP核或 DSP 模塊)的功耗或設計層級功耗。兩種視圖都能讓用户進行詳細的功耗分析。併為確定設計中最耗電的模塊或部件提供了一種非常有效的方法,從而簡化了功耗優化工作。 以上便是此次小編帶來的“功耗”相關內容,通過本文,希望大家對低功耗FPGA的設計與實現具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-13 關鍵詞: FPGA 功耗 指數

  • 兆易創新:國產替代只是一個現象,不是公司經營的目的

    兆易創新:國產替代只是一個現象,不是公司經營的目的

    在2021年伊始,21ic專門採訪了兆易創新CEO、傳感器事業部總經理程泰毅先生,邀請他和我們一起回顧2020與展望2021。 程泰毅,兆易創新CEO、傳感器事業部總經理 1. 受新冠疫情和國際形勢雙生影響,2020年對整個世界來説都是不平凡的一年,同時也是機遇與考驗並存的一年。對此,您如何看待整個⾏業的發展現狀和未來趨勢?貴公司⼜是如何把握機遇、直⾯挑戰的? 今年突發的疫情給各行各業都造成了不小的影響,半導體行業也受到波及,例如供應鏈的“斷鏈”風險,原材料的價格震盪,交期週期拉長,終端需求鋭減等等。但是作為科技基礎領域的半導體行業,在當下人工智能、物聯網、5G等新興科技的加速推動下,仍然會保持增長的勢頭。 對於兆易創新而言,儘管後疫情時代依然存在着諸多不確定性,但我們也看到了其中隱藏着的諸多機遇。我們一直相信:科學技術是第一生產力,疫情帶來的生產力下降等問題將通過技術的發展來破解。目前,兆易創新也在進行積極的佈局,不斷提高產品在汽車電子、工業、通信、智能手機、消費電子等應用領域的覆蓋面和滲透率,同時讓產品線保持全面的發展,為未來不斷湧現的新應用、新機遇做好準備。 2. 2020年,5G開始走向大規模商用,隨着5G基站的進一步部署,5G網絡的覆蓋越來越廣,這將給行業帶來哪些機遇?貴公司如何看待? 5G的規模化會像高速帶動經濟的發展一樣帶動上層的應用進行發展和普及,例如物聯網應用,智慧城市,VR/AR應用,自動駕駛,雲計算等。這些領域都需要建立在半導體行業所提供的解決方案和產品設備上。隨着計算架構越來越開放,這也激發着硬件進行創新,令芯片從通用化向專用化的方向發展。同時,內核性能的提升必然也要求終端在傳輸、存儲、傳感設備上進行更新換代,以適應高數據流量、快速傳輸的需求,這也會帶來巨大的市場增長空間。 兆易創新立足存儲,同時佈局控制器和傳感器,致力於構建完善的半導體生態系統。存儲技術是我們一直深耕的領域,同時我們也在加速提升在控制器、傳感器領域的技術能力,補足公司在信號、處理、算法和人機交互方面的技術和相關技術產品轉化的能力,進一步提升現有芯片產品技術性能,完善和豐富我們的產品線。 3. 從5nm-3nm-2nm,時下的芯片生產技術正走極限,摩爾定律延續面臨挑戰,貴公司如何看待?貴公司看好哪些新技術或新材料或新工藝,以便延續摩爾定律發展? 回顧科技產業過去的半個多世紀,摩爾定律指引着信息技術產業的發展,推動電子設備在性能和種類上不斷實現指數級增長;梅特卡夫定律預言了互聯網公司的繁榮,見證了個人PC、平板、手機等各種移動設備,依託互聯網平台+社羣的指數級增長,聯通了世界的每個角落。隨着未來AI、5G、物聯網、雲計算、區塊鏈、量子計算等科技不斷取得突破,我們可能會遇到第三次指數級增長的機會:萬物互聯與5G、VR/AR、人工智能相結合,帶來指數級的商業創新勢能,顛覆生活、學習、工作、娛樂的方方面面。 面對未來如此龐大的市場機遇,僅憑一家公司,或者一個領域,是不能完全撬動整個市場和生態的。兆易創新希望憑藉自身的領先技術和產品以及多年的領域深耕,通過全球化的合作、全球化的IP、全球化的工具、全球化的供應鏈,投身到下一次的科技創新浪潮中,成為時代的見證者和參與者。 4. 地緣政治摩擦加速了中國半導體產業的自主化發展,國產替代是2020年繞不開的話題,貴公司是否有參與其中?  國產替代其實是一個現象,而不是每個公司經營的一個目的。其實不管是全球性的公司,還是本土的公司,所有公司的目標都是在自己所專注的領域、專注的賽道里面,去把技術、能力、產品提升到國際範圍內的一線水平,這樣才能開拓更多國際一線客户、國際一線供應商、國際一線合作伙伴……不斷良性循環,把整個產品做到最好。 半導體行業歸根結底是一個非常全球化的行業。國產替代只是説今年本土的公司出現的比較多,出現了這樣的一個現象,所以大家有了這樣的一個説法。但其實所有的公司最主要的目的還是把我們的產品做好、做強。 放眼未來,兆易創新將繼續以“產品+生態”的組合為用户提供完善的支持服務,不僅會提高產品的種類,拓展應用的場景和領域,還會聯合全球合作伙伴提供各種設計所需的開發板卡、軟硬件工具、中間件、視頻培訓教程等資源,並搭建全方位的人才培養體系,在技術創新和生態深耕方面持續發力。 5. 在2020年貴公司有哪些產品和技術您認為可以稱得上是對該應用或技術領域有明顯提升或顛覆性的貢獻?請您分享。 2020年兆易創新推出了多款創新型產品,不管是在工藝製程或是性能方面都有大的突破,以榮獲2020“中國芯”最重磅的“重大創新突破獎”的產品GD55LB02GE系列為例。近年來AI、5G、物聯網、工業及車載應用蓬勃發展,各類應用對XIP的需求越來越大,並隨着應用的擴展,代碼複雜性顯著加大,因此大容量、高性能、高可靠的NOR Flash成為業界廣泛訴求。兆易創新是國內市場上首家推出2Gb大容量高性能SPI NOR Flash的企業,該系列產品能夠憑藉自身超大容量、高速讀取性能與高可靠性等優勢,在上述領域大放異彩。 6. 能否介紹下貴公司在中國市場的發展情況?2020年中國市場有哪些突出表現?2021年針對中國市場又有哪些規劃和佈局?  兆易創新立足存儲,同時佈局控制器和傳感器,致力於構建完善的半導體生態系統。今年,這三條產品線均穩步發力,有出色的表現。其中,我們率先推出了超大容量、高速讀取、高性能的SPI NOR Flash,以及全國產化的24nm SLC NAND flash;微控制器方面,我們推出了Arm® Cortex®-M33內核的MCU,全面助力光模塊產業鏈的國產化需求。傳感器方面,我們主要方向包括超聲、光學、電容等方向,已經推出了大面積指紋識別等新品,未來希望把這些創新產品廣泛推向市場。 可以看到,目前我們的三個產品線在Edge端的計算系統裏面,從傳感器的信號處理、提取,到信息的傳輸和存儲,這樣整個一個系統構成了Edge端一個核心的系統。所以我們主要是圍繞Edge端AIoT這樣核心器件去建一個完整的生態系統,可以為客户提供系統裏面通用的器件,以及針對一些特定場景優化的、芯片級的解決方案。

    時間:2021-01-12 關鍵詞: MCU 兆易創新

  • 新基建應用的“法寶“:未來LoRa芯片供應將實現多元化

    新基建應用的“法寶“:未來LoRa芯片供應將實現多元化

    在2021年伊始,21ic專門採訪了Semtech中國區銷售副總裁黃旭東先生,邀請他和我們一起回顧2020與展望2021。 黃旭東,Semtech中國區銷售副總裁 黃旭東先生是Semtech負責中國區銷售的副總裁,擁有28年的半導體行業從業經驗。黃先生在Semtech已任職超過十年,擔任過一系列領導職務,其最近的職務是無線和傳感產品事業部市場和應用副總裁。在該職位上,黃先生對LoRa技術的成長髮展起到了關鍵作用,並且與中國區的客户和技術合作夥伴緊密合作,推動了LoRa技術的採用。在Semtech之前,黃先生曾在Intersil和Elantec擔任領導職務。 1. 受新冠疫情和國際形勢雙生影響,2020年對整個世界來説都是不平凡的一年,同時也是機遇與考驗並存的一年。對此,您如何看待整個⾏業的發展現狀和未來趨勢?貴公司⼜是如何把握機遇、直⾯挑戰的? Semtech回答:2020年的確是不平凡的一年,新冠肺炎疫情爆發以及國際科技貿易形勢的風雲變幻帶來了巨大的挑戰,但同時也帶來了一些新的機遇。疫情改變了人們的辦公、學習和生活方式,而物聯網技術在其中扮演着重要角色,不僅用科技手段抗擊疫情,而且解決了各種問題,為社會帶來效率和便利。 LoRa作為一種成熟的物聯網技術,在疫情管理中得到了廣泛應用。例如,Semtech與騰訊雲、阿里雲合作推出基於LoRa的智能門磁監控設備等,為國內的疫情防控提供了可靠和有力的支撐;成都博高採用LoRa技術推出了智能輸液管理和智慧醫療設備管理方案,為醫療行業提供諸多便利。 展望未來,全球各地都將繼續推進疫情的進一步防控與經濟社會發展相互協同,因而諸如物聯網、5G、智能化等技術將在其中扮演更重要的角色。例如,中國政府目前在不斷推進“新基建”,而物聯網作為“新基建”的重要組成部分,必將在其中大顯身手。LoRa憑藉其自組、安全和可控的特性,完全適用於這些領域,並可以給用户快速帶來投資回報和更多更好的技術支持與服務。 2. 在2020年貴公司有哪些產品和技術您認為可以稱得上是對該應用活技術領域有明顯提升或顛覆性的貢獻?請您分享。 Semtech回答:作為全球領先的模擬混合信號半導體產品和方案供應商,Semtech在2020年繼續保持了不斷的創新,為物聯網、智能終端、5G、數據中心、智能汽車、專業音視頻等應用推出了多款新的芯片產品,從而在多個領域內繼續保持了增長;我們的LoRa技術發揮了其“自組、安全、可控”的特性,成為了物聯網抗疫和恢復經濟發展的首選方案之一。 在物聯網技術快速發展的今天,無論是從宏觀的大數據分析,還是微觀層面上許多行業的商業模式創新,都需要在物聯網實時數據中打上空間和時間的印記,即位置信息和時間標記,同時還需要確保數據的安全性和可靠性。物聯網定位應用是一塊非常大的市場,同時需要作為物聯網底層技術提供方的芯片淘派集運app不斷創新。 Semtech很早就看到了這個發展趨勢並做出相應的佈局,其在2020年推出的LoRa Edge™ LR1110通信與定位產品平台就是這種前瞻性佈局的結果。LoRa Edge產品組合是一個基於LoRa®的低功耗平台,可以軟件設置定義。LoRa Edge將為室內和室外資產管理提供廣泛的應用組合,其目標應用市場包括工業、樓宇、家居、農業、交通運輸和物流等領域。 該產品系列的第一款產品LR1110是一套地理定位解決方案,是一款可為資產管理應用帶來革命性變革的物聯網器件,其特色是低功耗Wi-Fi和GNSS掃描功能,結合簡單易用且經濟高效的LoRa Cloud™地理定位以及設備管理服務,可顯著降低採用物聯網來定位和監測資產的成本和複雜性。 此前的物聯網定位解決方案基本上是採用不同的芯片和元件來實現不同的功能,如GPS、Wi-Fi和安全芯片等,這種解決方案需要大量的“連接電路”,從而增加了成本、功耗和設計複雜性。此外,GPS設備固有的高功耗特性迫使客户頻繁地更換電池,這是一項成本高昂且艱鉅的操作。而LoRa Edge地理定位平台克服了這些問題,可以同時實現精準定位和低功耗。 由於不再需要添加單獨的GNSS和Wi-Fi器件,LoRa Edge降低了設備的物料清單成本,並顯著降低了設計和採購複雜性。通過添加LoRa Cloud地理定位服務,以及提供簡單易用且經濟高效的到達時間差(TDOA)數據、GNSS和基於Wi-Fi的雲位置計算功能,進而大幅減少了設備的功耗需求,並提高了資產管理效率。在芯片製造時配置的一流密鑰和安全連接添加流程,進一步簡化了物聯網解決方案的開發,恰如其分地滿足了客户對安全性的嚴格要求。 3. 受到疫情等多重因素影響,多類半導體器件在2020年末出現貨源短缺的現象。作為分銷商的角度而言,2021年是否有面臨貨源壓力? Semtech回答:Semtech作為一家全球性的半導體公司,我們分佈在世界各地的資源將保障我們芯片的供應。Semtech的產品研發和知識產權主要在瑞士,還有一些在法國、加拿大,我們有着通暢的渠道和充足的貨源供應。在中國使用的LoRa芯片是在瑞士研發和供應,此外,我們已經在歐洲和中國授權了兩家芯片技術合作夥伴來生產LoRa芯片產品,這使得LoRa芯片供應實現了多元化,在中國運營的LoRa網絡可得到極為可靠和穩定的芯片保證。 4. 能否介紹下貴公司在中國市場的發展情況?2020年中國市場有哪些突出表現?2021年針對中國市場又有哪些規劃和佈局? Semtech回答:作為一家已有60年發展歷史的全球領先半導體企業,Semtech在中國市場上已經建立了完整的產業生態,不僅與領先的中國淘派集運app建立廣泛而深入的合作伙伴關係,同時還長期支持中國的許多創新者根據中國市場特性開發可以滿足其客户需求的終端和系統產品。 我們全球領先的LoRa技術、電路保護產品、光通信技術與解決方案等在中國得到了廣泛的應用,這些創新的技術和產品幫助中國合作伙伴和客户在智能物聯(如智慧農業、智能家居、智能建築和智慧物流……)、新一代智能終端、5G系統、雲設備與服務器、智能汽車、高質量視頻圖像分發等許多領域取得了巨大的成功。我們的LoRa技術在包括中國在內的全球市場上佔據了重要地位並保持了持續的增長。 展望2021和未來,Semtech將繼續通過自己的不斷創新來支持中國夥伴和客户在其應用領域開發世界級的創新,從而取得共同的成功。隨着中國“新基建”部署的落實,可以支持其中主要應用的LoRa將在中國市場繼續保持穩健的增長。 在眾多物聯網應用中,地理定位是最為強大、發展勢頭最為迅猛的細分領域之一。面對巨大的定位市場,Semtech今年推出了LoRa Edge低功耗通信與定位一體化平台,將為中國合作伙伴在多個行業中的物聯網應用創新提供強有力的支持。

    時間:2021-01-12 關鍵詞: Semtech LoRa

  • 後疫情時代,Silicon Labs將助力中國市場加快發展

    後疫情時代,Silicon Labs將助力中國市場加快發展

    在2021年伊始,21ic專門採訪了Silicon Labs高級副總裁兼首席戰略官Daniel Cooley先生,邀請他和我們一起回顧2020與展望2021。 DanielCooley,Silicon Labs高級副總裁兼首席戰略官1. 受新冠疫情和國際形勢雙生影響,2020年對整個世界來説都是不平凡的一年,同時也是機遇與考驗並存的一年。對此,您如何看待整個⾏業的發展現狀和未來趨勢?貴公司⼜是如何把握機遇、直⾯挑戰的?  Silicon Lab回答:新冠疫情將對全球經濟和相關技術產生持續的影響。整個世界對半導體產品的需求和依賴在2020年變得愈發強烈。雖然對物聯網(IoT)和互聯網基礎設施解決方案的需求之前已經存在,但新冠疫情無疑加速了世界向更加互聯化邁進的步伐。 Silicon Labs看到,對我們物聯網無線連接解決方案的需求日益增長,這些解決方案可以實現智能家居和智能工業應用,從而使人們在家中通過遠程方式來生活、工作、購物和娛樂,並使企業通過現場和非現場混合模式來繼續安全地運營。 隨着新一年的到來,我們有希望開發出終結新冠肺炎的疫苗,人生中這一史無前例的事件清晰地突顯了技術在日常生活中不可或缺的作用,我們很期待看到聯網設備在2021年及之後的時間裏將人們的生活變得更加美好。就國際形勢而言,我們鼓勵政策制定者解決國際貿易分歧,並建立更具合作性的政策。懷着這一信念,Silicon Labs仍然對市場保持密切關注,這同樣也是因為電子和工業市場的全球供應鏈是緊密相連的。具體來説,全球半導體市場是多樣化的,分佈在世界各地,在很多層面上都是彼此依存的,它可以在貿易摩擦等地緣政治問題之外保持高度的穩定。 2. 2020年,5G開始走向大規模商用,隨着5G基站的進一步部署,5G網絡的覆蓋越來越廣,這將給行業帶來哪些機遇?貴公司如何看待? Silicon Labs回答:5G將於2021年起飛,在數據傳輸速度和容量方面實現巨大飛躍,同時提供更低的延遲。總體而言,這將對物聯網產生巨大的有益影響。但是,為了推動5G技術的大規模採用,5G基礎設施提供商需要轉向最適合5G小基站的以太網供電(PoE)技術。 Silicon Labs擁有完整的PoE產品組合,可以為5G小基站提供更高的功率、出色的集成度和更先進的功能,既能幫助開發人員簡化系統設計,又能滿足嚴格的功率、尺寸和成本預算。 3. 在2020年貴公司有哪些產品和技術您認為可以稱得上是對該應用技術領域有明顯提升或顛覆性的貢獻?請您分享。 Silicon Labs回答:2020年初,Silicon Labs陸續推出了Wireless Gecko第二代平台(Wireless Gecko Series 2)的重要系統級芯片(SoC)產品EFR32BG22、EFR32MG22和EFR32FG22。 EFR32BG22支持藍牙5.2規範、藍牙測向和藍牙網狀網絡,功耗非常低,可以使藍牙產品的電池續航時間達到10年,從而滿足智能家居等IoT應用對性價比的要求。EFR32MG22是專為Zigbee Green Power(綠色能源)應用而優化的最小尺寸、最低功耗的SoC,是使用鈕釦電池或通過能量收集供電的Zigbee設備的理想選擇,目標應用包括智能家居傳感器、照明控制等。EFR32FG22針對電量和尺寸受限的電池或能量收集供電型IoT產品而設計,為電子貨架標籤(ESL)、智能照明和樓宇自動化等應用提供了2.4 GHz專有無線解決方案。 2020年9月,Silicon Labs又推出了Wireless Gecko第二代平台的藍牙模塊新品BGM220和BGX220。 BGM220包括BGM220S和BGM220P,其中BGM220S的尺寸僅為6x6毫米,是一種超緊湊、低成本、長電池壽命的SiP模塊,可以為超小型產品增加完整的藍牙連接能力;BGM220P是一款稍大的PCB模塊,針對無線性能進行了優化,具有更好的鏈路預算,可覆蓋更大範圍。BGM220S和BGM220P屬於首批支持藍牙測向功能的藍牙模塊,同時它們可以支持單個鈕釦電池實現長達10年的電池壽命。BGX220也包括SiP和PCB模塊,其通過為客户提供經過認證的硬件平台來簡化設計,該平台通過將協議棧轉化為可與外部微控制器一起使用的簡單API,可簡化代碼開發。 此外,Silicon Labs於2020年3月推出了全新的Secure Vault技術,該技術憑藉先進的硬件和軟件安全保護功能組合,可以幫助物聯網設備製造商提高產品安全性、簡化開發並加快上市時間。2020年9月,Silicon Labs推出了新型EFR32MG21B多協議無線SoC,該SoC加載了獲得PSA Certified 2級認證的Secure Vault功能,是首款獲得PSA Certified 2級認證的射頻芯片。 除了無線芯片和模塊,Silicon Labs在2020年還推出了重要的時頻和隔離產品。2020年9月,Silicon Labs推出新型小尺寸、高性能Si54x/6x Ultra系列晶體振盪器(XO)和壓控晶體振盪器(VCXO)產品,它們可在整個工作範圍內為整數和小數頻率提供低至80飛秒(fs)的抖動性能,從而為數據中心互連、光傳輸、廣播視頻和測試/測量等要求嚴苛的應用提供出色的抖動餘量。2020年10月,Silicon Labs推出新型Si823Hx/825xx隔離柵極驅動器,它們結合了更快更安全的開關、低延遲和高噪聲抑制等能力,可以幫助電源轉換器設計人員滿足甚至超越日益提高的能效標準及尺寸限制,同時支持使用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和快速Si FET等新興技術。 4. 能否介紹下貴公司在中國市場的發展情況?2020年中國市場有哪些突出表現?2021年針對中國市場又有哪些規劃和佈局? Silicon Labs回答:Silicon Labs作為一家致力於建立更智能、更互聯世界的領先芯片、軟件和解決方案供應商,2020年在中國市場中繼續保持着良好的成長,通過支持中國客户的創新,助力他們在智能家居、物聯網、新能源汽車、5G和數據中心等領域內取得了成功。 在即將到來的2021年中,我們相信Silicon Labs領先的多協議無線SoC、數字隔離、高精度低抖動時頻、Secure Vault物聯網安全、人工智能(AI)和機器學習(ML)等技術和產品平台,將繼續支持我們的中國客户和合作夥伴在各領域打造更多的創新性產品和應用,助他們在後疫情時代加快發展步伐。

    時間:2021-01-12 關鍵詞: 物聯網 5G SiliconLabs

  • Imagination CEO:在逆境中創新,向更好未來邁進

    Imagination CEO:在逆境中創新,向更好未來邁進

    在2021年伊始,21ic專門採訪了Imagination Technologies首席執行官Simon Beresford-Wylie先生,邀請他和我們一起回顧2020與展望2021。 Simon Beresford-Wylie,Imagination Technologies首席執行官 由於疫情不斷蔓延,加上大國之間的關係變得冷淡,過去一年對個人和企業來説都是動盪不安的。在2019年底時,沒人能預知我們現在的處境,因此未來的12個月及之後的時間同樣難以預測和規劃。然而,在目睹整個世界特別是半導體產業如何因應疫情的發展之後,也讓我們意識到更多積極的事情將不斷到來。 受益者和受損者 半導體產業規模龐大,許多領域受到了影響,其中一些領域出現了發展放緩的現象。例如,由於政府將時間和資金都集中用於抗擊疫情,因此大型基礎設施和智慧城市的部署速度有所減慢。但另一方面,自疫情爆發以來,消費類市場卻增長強勁。 隨着人們工作、娛樂、消費和社交方式的改變,消費領域技術的重要性更勝以往。筆記本電腦、智能手機和數字娛樂在疫情期間已是不可或缺。半導體領域還有另一個重要的行業,其產品週期遠比12個月長,這就是汽車行業。儘管目前汽車銷售有所下滑,但其仍是一個對半導體需求很高的重要市場。通常汽車需要五年時間才能上市,因此汽車製造商們都在着手規劃未來的自動駕駛汽車(AV)。 在逆境中創新 我們已清楚地看到半導體產業中每個垂直市場對新技術的渴望,以及對新技術愈發快速的採用和部署。人工智能(AI)和5G只是眾多新技術中的兩個例子,疫情進一步凸顯了它們的關鍵性和重要性,並推動了快速的大規模部署。 5G數據網絡提供了一種新的通信標準。它具有無與倫比的能力,可以在極低延遲和無中斷的情況下傳輸大量數據,這對家庭流媒體或AV工程師來説都很重要。5G網絡的早期部署恰好與疫情發生的時間一致,疫情期間對數據的大量需求進一步推動了它的快速部署。 AI是另一個因疫情爆發而被推到最前線的領域。AI已在醫學領域取得了顯著進展,它有助於建立病毒傳播模型和加速疫苗開發。此外,在最後一公里遞送服務、藥品運輸和自動化製造等應用中AI技術也被越來越多地使用。 疫情對世界各國政府而言都是嚴峻的挑戰。在這樣的全球逆境中,創新和卓越的工程能力成為首要之務。新冠疫情加速推動人們去擁抱AI驅動的未來,並展示瞭如何利用AI來提升邊緣應用的性能和效率。 因疫情而推動的技術加速發展並不會很快消失。在可預見的未來,新冠疫情仍將存在,它將持續影響和塑造消費者的行為,同時也會對半導體產業提出新的需求。 貿易糾紛的衝擊 國際貿易是受疫情影響的另一個領域。中美之間的貿易糾紛看來並不會在短期內落幕。這已影響了包括半導體在內的許多市場。中國半導體市場仍然高度依賴從其他國家進口。對中國政府來説,這是攸關國家發展的重要問題,因此他們正致力於大幅、快速地提升自身的半導體產業能力和規模。 當前貿易糾紛中的一個重要因素是,誰擁有半導體知識產權(IP),對圖形處理器(GPU)而言尤其如此。GPU早已超越了僅用於圖形渲染的範疇,現在已被整合至從雲計算到AV的所有應用中。目前,大多數GPU IP都由美國公司持有,如果限制收緊,這將會引發問題。Imagination作為一家總部位於英國的公司,是唯一一家擁有GPU IP的非美資公司,這使我們能與深具創新能力的中國OEM淘派集運app展開更緊密的合作。 時代正在改變 世界各地的半導體產業都在發生變化,於此同時,半導體業務的基本運作方式也在改變。 對於許多采用半導體技術的製造商來説,IP授權正成為越來越受歡迎的選擇。取得所需IP的授權是一種更具成本和時間效益的解決方案,製造商需要解決的許多問題事先都已解決好,他們不用再去進行重複的設計。這樣一來,製造商就可以將時間用於研究產品的功能和特性,從而使產品與眾不同並贏得生意。這種做法還可以大幅縮短產品上市時間和降低開發成本。 我們將看到的另一個重大轉變是,相較於完整的系統級芯片(SoC),將會更多地朝着小芯片(chiplet)設計方向發展。近年來,製造商一致希望使用更低的工藝節點去打造其所有產品,使整個SoC變得更小。但是,由於工藝節點尺寸仍在不斷髮展,因此會極大地增加製造成本並帶來更高的風險。更好的做法是,在一些必要的地方採用3nm或5nm架構,同時允許其他系統在更高但更便宜、更可靠的工藝節點上運行,這樣能極大地優化系統成本並簡化設計難度。 朝小芯片發展的趨勢將推動Imagination這樣的IP公司提供更完備的服務,從而可以無縫地在各種系統上運行。 向目標邁進目前的全球疫情對許多人和企業來説是一場悲劇。它所造成的影響已從根本上改變了世界的運行方式,並將持續對全球商業的正常運行產生深遠的影響。然而,並非所有事情都是消極的,在困難時期,創新層出不窮,新技術不斷成長,而那些推動創新和技術發展的企業和從業人員也將因此受益。 無論是AI、物聯網(IoT)還是處理技術,值此逆境之際,半導體產業中的每個成員都將扮演推動未來技術發展的重要角色。Imagination Technologies深知這一點,將繼續提供全球領先的IP產品,協助所有半導體企業和從業人員提升其競爭優勢。

    時間:2021-01-12 關鍵詞: chiplet Imagination

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